PHASE SHIFT MASK（PSM掩模），通過MOSI層產生180°的相位差以降低光的衍射作用，從而提高掩模圖形分辨率

        相移掩模技術優點：減少臨近效應，利用光的相干性，抵消部分衍射擴展效應，改變空間光強分布，使更多的能量從低頻分配到高頻上，彌補投影物鏡通低頻阻高頻的缺點，提高空間圖像的反差，改變像質，使分辨率和焦深增大