1μm600V HVIC

 

 Overview
        公司提供的1μm 600V HVIC高壓浮柵工藝， 擁有200V/600V兩個檔位的NLDMOS/高壓隔離島。公司的高壓互聯自屏蔽技術榮獲兩項發明專利。為電機驅動、白色家電（IPM模塊）、大功率LLC、無人機等應用提供了很好的解決方案。

 

 Key Features
- Cost effective mask layer，competitive Rdson and BVdss performance
- Foundry compatible 5V CMOS，20V MV-LDMOS, 200V/600V HVMOS+island
- Rich options included parasitic Zener/JFET
- PDK and industry standard CAD tools are supported
- Supporting Thick metal layer

 

 Application
-Motor driver
-IPM
-LLC
-Unmanned aerial vehicle
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 1.0μm 60V/120V HVIC

 

 Overview
        公司提供的1.0μm 60V/120V HVIC工藝， 擁有高可靠性的LDMOS以及精簡的光刻層次，提供60V/120V兩個檔位的N/PLDMOS以及隔離島。為手持電動工具、平衡車、無人機等應用提供了很好的解決方案。

 

 Key Features
- Cost effective mask layer，competitive Rdson and BVdss performance
- Foundry compatible 5V CMOS，12V MV-LDMOS, 60V/120V HV-LDMOS and island.
- Rich options included parasitic Zener/JFET
- PDK and industry standard CAD tools are supported
- Supporting Thick metal layer

 

 Application
- Power tools
- Ninebot
-Unmanned aerial vehicle
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 1.0μm 25V 40V HV

 

 Overview 
        1.0μm 25V 40V HV是公司的標準高壓工藝平臺之一。是以較少光刻層數實現的經濟高壓工藝，工藝特征為1.0μm 線寬，單層多晶，雙層金屬，應用于數?；旌系母邏寒a品，工藝平臺提供常規及隔離的5V低壓CMOS、25V或40V高壓CMOS器件，以及多晶高阻和齊納二極管等器件。
為了節省芯片面積，工藝提供1.0μm 前端0.5μm后端設計規則。

 

 Key Features 
- 5V logic layout & performance compatible with the industry standard
- 1.0 micron front-end, 1.0 micron or 0.5 micron back-end design rule
- Epi process for isolated devices
- Modular concept (HR/ Zener / BJT / Special require)
- Vgs/Vds=5V/25 or Vgs/Vds=5V/40V，Vgs/Vds=25V/25 or Vgs/Vds=40V/40V HVCMOS
- High value poly resistor
- I/O cell library with 2KV HBM ESD protection levels

 

 Application 
- LCD driver/LED driver
- Power management product
- Battery protection IC