0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8V/3.3V G
0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8V/5V G

 

 Overview

        公司0.18um工藝是基于客戶對于Fab兼容目的而開發可廣泛應用的工藝。0.18um邏輯工藝可提供1.8V電壓core device、3.3V或者5V 電壓IO device， 并同時提供Native VT、Medium low VT器件、高性能電容、高精度poly電阻、可變電容器、電感等可選工藝可方便客戶電路設計。

Shrunk工藝可以有效的降低客戶成本，同時Shrunk工藝的器件特性同不Shrunk工藝非常接近。公司 0.162um工藝是0.18um 90% Shrunk工藝, 公司 0.153um工藝是0.18um 85% Shrunk工藝。
公司0.18um工藝提供OTP/MTP工藝，OTP/MTP 工藝同現有單多晶邏輯工藝平臺兼容，不需要額外增加光刻層次。

 

 Key Features

		0.18G
Core Voltage	Typical	1.8V
Core Device	Typical VT	√
	Low VT	√
IO Device	3.3V	√
	5V	√
SRAM BItcell(um2)		4.65

 0.18um Process Family

		0.18G
Special Process	Mix	√
	RF	√
	OTP/MTP	√
Design	Technical File	√
	PDK	√
	IP/Library	√

 

 

 0.18μm CMOS EN (3.3V or 5V) 

 

 Overview  
        公司提供的0.18μm CMOS EN (3.3V or 5V)工藝擁有極具競爭力的光刻次數和緊湊的設計規則，為DC-DC、LED屏驅動、音頻功放、MCU等應用提供了很好的解決方案。

 

 Key Features 
- Single poly, rich metal (Aluminum) options (support 2~6, thin/thick top metal options)
- Hi-Rsh poly resistor, MIM/MOS capacitor, OTP/FT E–fuse and other rich device options
- Full Design Kit support with PDK\CMD\library

 

 Application 
- DC-DC
- LED display
- Audio amplifier
- MCU

 

 0.18μm e-Flash

 

 Overview  
        公司提供的0.18μm e-Flash工藝兼容0.18um logic工藝，提供業界具有競爭力的閃存IP，高可靠性，低功耗和低成本，為智能卡、各類屏接觸控制、MCU等應用提供了很好的解決方案。

 

 Key Features 
- Double polys, support 4~6 top metal options
- Industrial competitive flash macro cell size, low voltage, low power operation
- Full Design Kit support with PDK\ std cell\IO Library

 

 Application 
- Smart card
- Touch-screen controller
- MCU